AZO透明導電膜之製程優化
由於氧化鋅（ZnO）與鋁（Al）之間熱膨脹係數的差異以及晶格不匹配，鋁摻雜氧化鋅（Al–ZnO，AZO）薄膜中可能產生殘留應力。可透過退火製程來調控此殘留應力。本研究以溶膠–凝膠法製備 AZO 薄膜，並施以三種不同的快速熱退火（Rapid Thermal Annealing, RTA）溫度（350 °C、450 °C 與 600 °C）。透過實驗方式系統性探討 AZO 薄膜的機械性質、光學性質及其微觀結構變化。
由於氧化鋅（ZnO）與鋁（Al）之間熱膨脹係數的差異以及晶格不匹配，鋁摻雜氧化鋅（Al–ZnO，AZO）薄膜中可能產生殘留應力。可透過退火製程來調控此殘留應力。本研究以溶膠–凝膠法製備 AZO 薄膜，並施以三種不同的快速熱退火（Rapid Thermal Annealing, RTA）溫度（350 °C、450 °C 與 600 °C）。透過實驗方式系統性探討 AZO 薄膜的機械性質、光學性質及其微觀結構變化。